ROHM Semiconductor RSQ015P10TR

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

600mW Ta

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e1

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

470m Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

950pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 5V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

1.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.47Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6A

DS 击穿电压-最小值

100V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅