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RSQ030P03TR备选型号: IRLMS1503TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 已出版
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 终端
- 附加功能
- 元素配置
- 反向恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6Copper, Silver, Tin表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON3A Ta2.5V @ 1mA150°C TJ2003Tape & Reel (TR)e3/e2yes不用于新设计1 (Unlimited)6EAR9980MOhmTIN/TIN COPPER-30VDUAL鸥翼260-30A10SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.25W10 nsP-ChannelSWITCHING80m Ω @ 3A, 10V440pF @ 10V6nC @ 5V13ns30V±20V13 ns3A-2.5V20V3A-30V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOPTin表面贴装表面贴装SOT-23-66SILICON3.2A Ta1V @ 250μA-55°C~150°C TJ2004Tape & Reel (TR)e3-活跃1 (Unlimited)6EAR99100mOhm-30VDUAL鸥翼未说明3.2A未说明-增强型MOSFET1.7W4.6 nsN-ChannelSWITCHING100m Ω @ 2.2A, 10V210pF @ 25V9.6nC @ 10V4.4ns-±20V2 ns3.2A1V20V-30V无SVHC-ROHS3 Compliant无铅12 WeeksHEXFET®SMD/SMT超低电阻Single36 ns1 V1.143mm2.9972mm1.75mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLMS1503TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | 对比 |
 | FDC654P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
 | DMN3135LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 | 对比 |
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