RT1A060APTR备选型号: DMC1017UPD-13

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 通道数量
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管特性
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    SILICON
    6A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2012
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-F8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    19m Ω @ 6A, 4.5V
    1V @ 1mA
    7800pF @ 6V
    80nC @ 4.5V
    12V
    -8V
    6A
    6A
    0.019Ohm
    18A
    12V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET Enh FET 12Vdss 8Vgss 20V Complementary
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    13A Ta 9.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    N and P-Channel Complementary
    -
    17m Ω @ 11.8A, 4.5V, 32m Ω @ 8.9A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1787pF @ 6V 2100pF @ 6V
    18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V
    12V
    -
    6.9A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    8
    95.991485mg
    Automotive, AEC-Q101
    e3
    Matte Tin (Sn)
    2.3W
    2
    8V
    Standard
  • 添加型号
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