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首页 全部分类 RT1A060APTR vs NTHD2110TT1G

RT1A060APTR备选型号: NTHD2110TT1G

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  • 操作温度
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 资历状况
  • ROHM Semiconductor
    RT1A060APTR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    SILICON
    6A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2012
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-F8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    19m Ω @ 6A, 4.5V
    1V @ 1mA
    7800pF @ 6V
    80nC @ 4.5V
    12V
    -8V
    6A
    6A
    0.019Ohm
    18A
    12V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHD2110TT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    SILICON
    4.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    未说明
    unknown
    未说明
    8
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 6.4A, 4.5V
    850mV @ 250μA
    1072pF @ 6V
    14nC @ 4.5V
    12V
    ±8V
    4.5A
    -
    0.04Ohm
    -
    12V
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
    8
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    C 弯管
    不合格
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