RTF020P02TL备选型号: NTHD5903T1G

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 终端
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  • 电阻
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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    3
    SILICON
    2A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    165MOhm
    锡铜
    -20V
    DUAL
    260
    -2A
    10
    3
    Single
    增强型MOSFET
    800mW
    12 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 2A, 4.5V
    2V @ 1mA
    640pF @ 10V
    7nC @ 4.5V
    15ns
    ±12V
    12 ns
    2A
    2V
    12V
    2A
    -30V
    20V
    2 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET -20V -3A Dual P-Channel
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -20V
    -
    260
    -2.2A
    40
    8
    -
    增强型MOSFET
    1.1W
    -
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    155m Ω @ 2.2A, 4.5V
    600mV @ 250μA
    -
    7.4nC @ 4.5V
    35ns
    -
    35 ns
    3A
    -
    12V
    -
    -20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
    4.535924g
    逻辑电平兼容
    1.1W
    C 弯管
    unknown
    NTHD5903
    不合格
    20V
    0.155Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
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