RTF020P02TL备选型号: NTHD5903T1G
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 资历状况
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3表面贴装表面贴装3-SMD, Flat Lead3SILICON2A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2007e2yes不用于新设计1 (Unlimited)3SMD/SMTEAR99165MOhm锡铜-20VDUAL260-2A103Single增强型MOSFET800mW12 nsP-ChannelSWITCHING85m Ω @ 2A, 4.5V2V @ 1mA640pF @ 10V7nC @ 4.5V15ns±12V12 ns2A2V12V2A-30V20V2 V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------------
- MOSFET -20V -3A Dual P-Channel表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8SILICON2.2A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e3yesObsolete1 (Unlimited)8-EAR99-Tin (Sn)-20V-260-2.2A408-增强型MOSFET1.1W-2 P-Channel (Dual)SWITCHING155m Ω @ 2.2A, 4.5V600mV @ 250μA-7.4nC @ 4.5V35ns-35 ns3A-12V--20V----符合RoHS标准无铅OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)4.535924g逻辑电平兼容1.1WC 弯管unknownNTHD5903不合格20V0.155OhmMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门6.35mm6.35mm6.35mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTHD4401PT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET -20V -3A Dual P-Channel | 对比 |
![]() | NTHD5903T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET -20V -3A Dual P-Channel | 对比 |



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