ON Semiconductor NTHD5903T1G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

1.1W

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

-2.2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NTHD5903

引脚数量

8

资历状况

不合格

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.1W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

155m Ω @ 2.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

600mV @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.4nC @ 4.5V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.155Ohm

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅