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RTR025N05TL备选型号: PMV65ENEAR
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 附加功能
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT320 Weeks表面贴装表面贴装SC-963SILICON2.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2009e1yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99130MOhmDUAL鸥翼260103Single增强型MOSFET1W9 nsN-ChannelSWITCHING130m Ω @ 2.5A, 4.5V1.5V @ 1mA250pF @ 10V3.2nC @ 4.5V15ns±12V14 ns2.5A12V45V无ROHS3 Compliant无铅---------
NEXPERIA - PMV65ENEAR - MOSFET, N- CH, 40V, 2.7A, TO-236AB4 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-SILICON2.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016--活跃1 (Unlimited)3--DUAL鸥翼--3-增强型MOSFET--N-ChannelSWITCHING75m Ω @ 2.7A, 10V2.5V @ 250μA160pF @ 20V6nC @ 10V-±20V-2.7A---ROHS3 Compliant-Automotive, AEC-Q101逻辑电平兼容AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE40VTO-236AB0.075Ohm40V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PMV65ENEAR | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NEXPERIA - PMV65ENEAR - MOSFET, N- CH, 40V, 2.7A, TO-236AB | 对比 |
 | IRLML0040TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3 | 对比 |
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