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RU1J002YNTCL备选型号: NTJS4405NT1

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ROHM Semiconductor
    RU1J002YNTCL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-85
    85
    SILICON
    200mA Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    150mW
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2 Ω @ 200mA, 4.5V
    800mV @ 1mA
    26pF @ 10V
    ±8V
    200mA
    8V
    0.2A
    2.8Ohm
    50V
    150°C
    1.05mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTJS4405NT1
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    SILICON
    1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    240
    30
    R-PDSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    630mW
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    350m Ω @ 600mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    60pF @ 10V
    ±8V
    1A
    8V
    1A
    0.35Ohm
    25V
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    e0
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    25V
    not_compliant
    1A
    6
    不合格
    1.5nC @ 4.5V
    4.7ns
    4.7 ns
    12 pF
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