ROHM Semiconductor RU1J002YNTCL

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-85

引脚数

85

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0.9V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150mW Ta

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2016

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150mW

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2 Ω @ 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

800mV @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

26pF @ 10V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏极-源极导通最大电阻

2.8Ohm

漏源击穿电压

50V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.05mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅