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首页 全部分类 RVQ040N05TR vs FDC658AP

RVQ040N05TR备选型号: FDC658AP

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 高度
  • 辐射硬化
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  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RVQ040N05TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
    20 Weeks
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    表面贴装
    表面贴装
    6
    SILICON
    4A Ta
    2012
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    260
    10
    6
    Single
    增强型MOSFET
    1.25W
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    53m Ω @ 4A, 10V
    2.5V @ 1mA
    530pF @ 10V
    8.8nC @ 5V
    15ns
    15 ns
    4A
    21V
    4A
    0.074Ohm
    45V
    1.8mm
    3mm
    950μm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC658AP
    ON Semiconductor
    In a Pack of 5, P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor FDC658AP
    10 Weeks
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    表面贴装
    表面贴装
    6
    SILICON
    4A Ta
    2017
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 4A, 10V
    3V @ 250μA
    470pF @ 15V
    8.1nC @ 5V
    12ns
    12 ns
    4mA
    25V
    4A
    -
    -30V
    1.7mm
    3mm
    900μm
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    36mg
    PowerTrench®
    SMD/SMT
    50MOhm
    R-PDSO-G3
    1
    30V
    ±25V
    -1.8V
    -30V
    150°C
    -1.8 V
    90 pF
    无SVHC
    无铅
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