注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.300112
10
¥1.226518
100
¥1.157091
500
¥1.091597
1000
¥1.029807
ROHM Semiconductor RVQ040N05TR
- 收藏
- 对比
RVQ040N05TR
2078-RVQ040N05TR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RVQ040N05TR详情
ROHM Semiconductor RVQ040N05TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Turn Off Delay Time
40 ns
Power Dissipation (Max)
600mW Ta
Number of Elements
1
已出版
2012
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.25W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
53m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
530pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.8nC @ 5V
上升时间
15ns
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
4A
栅极至源极电压(Vgs)
21V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
漏极-源极导通最大电阻
0.074Ohm
漏源击穿电压
45V
宽度
1.8mm
长度
3mm
高度
950μm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RVQ040N05TR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
Rohm







哦! 它是空的。