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首页 全部分类 RYM002N05T2CL vs 6HP04MH-TL-W

RYM002N05T2CL备选型号: 6HP04MH-TL-W

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  • 包装
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  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 无铅代码
  • 配置
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ROHM Semiconductor
    RYM002N05T2CL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-723
    SILICON
    200mA Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e2
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2 Ω @ 200mA, 4.5V
    800mV @ 1mA
    26pF @ 10V
    8ns
    ±8V
    43 ns
    200mA
    8V
    0.2A
    2.8Ohm
    50V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    6HP04MH-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    SILICON
    113 ns
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e6
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    DUAL
    -
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F3
    1
    -
    增强型MOSFET
    18.4 ns
    P-Channel
    -
    4.2 Ω @ 190mA, 10V
    -
    24.1pF @ 20V
    15.2ns
    ±20V
    41 ns
    370mA
    20V
    0.37A
    -
    -60V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    Tin
    124.596154mg
    yes
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    0.84nC @ 10V
    60V
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