S29GL512S11GHB020备选型号: S29GL512T10GHI010
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- 电压 - 供电
- 端子位置
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- 组织结构
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- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
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- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
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- RoHS状态
- 已出版
- 备用内存宽度
- IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA13 WeeksYES56-VFBGA表面贴装56Non-VolatileGL-STray-40°C~105°C TA活跃3 (168 Hours)568542.32.00.512.7V~3.6VBOTTOM未说明10.8mm未说明512Mb 32M x 16ASYNCHRONOUS110nsFLASHParallel64MX8860ns536870912 bitAEC-Q1003V3.6V2.7V9mm7mm1mmROHS3 Compliant--
- IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 56TSOP13 WeeksYES56-VFBGA表面贴装56Non-VolatileGL-TTray-40°C~85°C TA活跃3 (168 Hours)568542.32.00.513VBOTTOM-10.8mm-512Mb 64M x 8ASYNCHRONOUS100nsFLASHParallel32MX161660ns536870912 bit-2.7V3.6V2.7V9mm7mm1mmROHS3 Compliant20158
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S29GL128S90GHI020 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 56-VFBGA | IC FLASH 128M PARALLEL 56BGA | 对比 |
| S29GL512T10GHI010 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 56-VFBGA | IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 56TSOP | 对比 |



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