S34MS01G104BHB080备选型号: MT29F4G08ABAEAH4:E
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- RoHS状态
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- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 工作电源电压
- 电源电流
- 地址总线宽度
- 密度
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- 高度
- IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA6 Weeks表面贴装63-VFBGA63Non-Volatile-40°C~105°C TATrayMS-1Discontinued3 (168 Hours)1.7V~1.95V1Gb 64M x 16FLASHParallel45nsROHS3 Compliant----------------
- SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4Gbit 512M x 8bit6 Weeks表面贴装63-VFBGA63Non-Volatile0°C~70°C TABulk-活跃3 (168 Hours)2.7V~3.6V4Gb 512M x 8FLASHParallel-ROHS3 CompliantCopper, Silver, Tin表面贴装e1Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)26030MT29F4G083.3V15mA30b4 GbAsynchronous8b4kB70°C1mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT29F2G08ABAEAH4:E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 63-VFBGA | SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2Gbit 256M x 8bit 63-Pin VFBGA Tray | 对比 |
![]() | MT29F2G08ABBEAH4-IT:E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 63-VFBGA | SLC NAND Flash Parallel 1.8V 2G-bit 256M x 8 63-Pin VFBGA Tray | 对比 |
![]() | MT29F4G08ABAEAH4:E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 63-VFBGA | SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4Gbit 512M x 8bit | 对比 |




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