SBAS21DW5T1G备选型号: SBAS16WT1G
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 二极管元件材料
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电容量
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 参考标准
- 元素配置
- 速度
- 二极管类型
- 反向泄漏电流@ Vr
- 功率耗散
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
- 正向电流
- 工作温度 - 结点
- 最大浪涌电流
- 无卤素
- 平均整流电流(Io)
- 正向电压
- 最大反向电压(DC)
- 平均整流电流
- 反向恢复时间
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 反向电压
- 二极管配置
- 最大正向浪涌电流(Ifsm)
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- HTS代码
- 端子位置
- 最大反向漏电电流
- 输出电流-最大值
- 电容@Vr, F
- 最大非代表Pk前进电流
- 长度
- 宽度
- DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC88AACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 Weeks表面贴装5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353YES5SILICON2Tape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)150°C-55°C5pF385mW鸥翼BAS21DW5AEC-Q101DualSmall Signal =< 200mA (Io), Any SpeedStandard100nA @ 200V385mW1.25V @ 200mA200mA150°C Max625mA无卤素200mA DC1.25V250V200mA50 ns100μA250V250V2 Independent2A50 ns150°C1.1mm无ROHS3 Compliant无铅--------
- DIODE GEN PURP 75V 200MA SC70ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)4 Weeks表面贴装SC-70, SOT-323YES3SILICON1Tape & Reel (TR)2005e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)150°C-55°C-200mW鸥翼BAS163AEC-Q101SingleSmall Signal =< 200mA (Io), Any SpeedStandard1μA @ 75V-1.25V @ 150mA--55°C~150°C500mA无卤素-1.25V75V200mA6 ns1μA75V---6 ns-900μm无ROHS3 Compliant无铅8541.10.00.70DUAL50μA0.5A2pF @ 0V 1MHz0.5A2.2mm1.35mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SBAS16WT1G | ON Semiconductor | 二极管 - 整流器 - 单 | SC-70, SOT-323 | DIODE GEN PURP 75V 200MA SC70 | 对比 | |
| BAS16WT1G | ON Semiconductor | 二极管 - 整流器 - 单 | SC-70, SOT-323 | DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70-3 | 对比 | |
| BAS21TMR6T1G | ON Semiconductor | 二极管 - 整流器 - 阵列 | SC-74, SOT-457 | Diode Switching 250V 0.2A Automotive 6-Pin SC-74 T/R | 对比 |


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