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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.86226
10
¥2.700246
100
¥2.547402
500
¥2.403207
1000
¥2.267181
ON Semiconductor SBAS16WT1G
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- 对比
SBAS16WT1G
1807-SBAS16WT1G
二极管 - 整流器 - 单
SC-70, SOT-323
大陆
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DIODE GEN PURP 75V 200MA SC70
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SBAS16WT1G详情
ON Semiconductor SBAS16WT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
HTS代码
8541.10.00.70
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
基本部件号
BAS16
引脚数量
3
参考标准
AEC-Q101
元素配置
Single
速度
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
1μA @ 75V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25V @ 150mA
最大反向漏电电流
50μA
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
最大浪涌电流
500mA
输出电流-最大值
0.5A
无卤素
无卤素
正向电压
1.25V
最大反向电压(DC)
75V
平均整流电流
200mA
反向恢复时间
6 ns
峰值反向电流
1μA
最大重复反向电压(Vrrm)
75V
电容@Vr, F
2pF @ 0V 1MHz
最大非代表Pk前进电流
0.5A
恢复时间
6 ns
高度
900μm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SBAS16WT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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