SBC856BDW1T3G备选型号: BC856BDW1T3G
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 频率
- 引脚数量
- 极性
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 参考标准
- 元素配置
- 增益带宽积
- 最大击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 Weeks表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363YES6SILICON65V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012004e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)380mW鸥翼100MHz6PNP380mWAMPLIFIER2 PNP (Dual)65V100mA220 @ 2mA 5V15nA ICBO650mV @ 5mA, 100mA100MHz80V5V无ROHS3 Compliant无铅----------
- ON Semi BC856BDW1T3G Dual PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 6-Pin SOT-363ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)8 Weeks表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363YES6SILICON65V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2005e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)380mW鸥翼100MHz6PNP380mWAMPLIFIER2 PNP (Dual)65V100mA220 @ 2mA 5V15nA ICBO650mV @ 5mA, 100mA100MHz80V-5V无ROHS3 Compliant无铅-650mV-65V-100mAAEC-Q101Dual100MHz65V950μm2.08mm1.25mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC846BPDW1T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363 | 对比 | |
| BC856BDW1T3G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ON Semi BC856BDW1T3G Dual PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 6-Pin SOT-363 | 对比 |


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