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1

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10

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100

￥1.265592
500

￥1.193951
1000

￥1.12637

ON Semiconductor BC856BDW1T3G

Name: BC856BDW1T3G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-BC856BDW1T3G
Price: 1.42 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BC856BDW1T3G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-BC856BDW1T3G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON Semi BC856BDW1T3G Dual PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 6-Pin SOT-363

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BC856BDW1T3G ON Semiconductor ON Semi BC856BDW1T3G Dual PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 6-Pin SOT-363

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ON Semiconductor BC856BDW1T3G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间

8 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装

YES
引脚数

6
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V
Collector-Emitter Saturation Voltage

-650mV
Number of Elements

2
hFEMin

220
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2005
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
电压 - 额定直流

-65V
最大功率耗散

380mW
终端形式

鸥翼
额定电流

-100mA
频率

100MHz
引脚数量

6
参考标准

AEC-Q101
极性

PNP
元素配置

Dual
功率耗散

380mW
晶体管应用

AMPLIFIER
增益带宽积

100MHz
晶体管类型

2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

65V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA 5V
最大集极截止电流

15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA
转换频率

100MHz
最大击穿电压

65V
集电极基极电压(VCBO)

80V
发射极基极电压 (VEBO)

-5V
高度

950μm
长度

2.08mm
宽度

1.25mm
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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BC856BDW1T3G拓展信息

热销零件