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首页 全部分类 SBR02U100LP-7 vs MBR8H100MFST1G

SBR02U100LP-7备选型号: MBR8H100MFST1G

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  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 反向电压(直流电)
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 应用
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 箱体转运
  • 输出电流-最大值
  • 相位的数量
  • Diodes Incorporated
    SBR02U100LP-7
    Diodes Incorporated
    DIODE SBR 100V 250MA 2DFN
    12 Weeks
    0402 (1006 Metric)
    表面贴装
    表面贴装
    2
    SILICON
    1
    -65°C
    150°C
    2008
    SBR®
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    8541.10.00.70
    BOTTOM
    260
    40
    SBR02U100
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    超屏蔽
    1μA @ 75V
    800mV @ 200mA
    250mA
    -65°C~150°C
    800mV
    100V
    250mA
    1μA
    100V
    5A
    5A
    100V
    600μm
    1mm
    470μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MBR8H100MFST1G
    ON Semiconductor
    Diode Schottky 100V 8A Automotive 5-Pin(4 Tab) SO-FL T/R
    4 Weeks
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    表面贴装
    表面贴装
    -
    SILICON
    1
    -55°C
    175°C
    2008
    -
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    -
    EAR99
    -
    低功率损耗
    -
    DUAL
    未说明
    未说明
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    2μA @ 100V
    900mV @ 8A
    8A
    -55°C~175°C
    810mV
    100V
    8A
    60nA
    100V
    75A
    75A
    100V
    5.3mm
    6.3mm
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    not_compliant
    -
    Tin
    EFFICIENCY
    FLAT
    R-PDSO-F5
    CATHODE
    8A
    1
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