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SCH1430-TL-W备选型号: DMN2400UV-7
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 达到SVHC
- RoHS状态
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- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
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- 终端形式
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- 晶体管应用
- 场效应管技术
- 场效应管特性
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- 长度
- 宽度
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ON SEMICONDUCTOR SCH1430-TL-W MOSFET Transistor, N Channel, 2 A, 20 V, 0.093 ohm, 4.5 V, 1.3 VLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-66662A Ta150°C TJCut Tape (CT)2017Obsolete1 (Unlimited)5.1 nsN-Channel125m Ω @ 1A, 4.5V1.3V @ 1mA128pF @ 10V1.8nC @ 4.5V11ns20V±12V12 ns2A1.3V12V无SVHC符合RoHS标准无铅---------------------
MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563-14 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-66662-55°C~150°C TJDigi-Reel®2017活跃1 (Unlimited)4.06 ns2 N-Channel (Dual)480m Ω @ 200mA, 5V900mV @ 250μA36pF @ 16V0.5nC @ 4.5V7.28ns20V-10.54 ns1.33A900mV12V无SVHCROHS3 Compliant无铅Tin3.005049mgSILICONe36EAR99500mOhmHIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD530mWFLAT6Dual增强型MOSFET530mWSWITCHINGMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门600μm1.7mm1.25mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN2400UV-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 | 对比 |
| DMG1016V-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 | 对比 |
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