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首页 全部分类 SCT10N120 vs SCT20N120

SCT10N120备选型号: SCT20N120

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • STMicroelectronics
    SCT10N120
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    12A Tc
    -55°C~200°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    SCT10
    N-Channel
    690m Ω @ 6A, 20V
    3.5V @ 250μA
    290pF @ 400V
    22nC @ 20V
    1200V
    +25V, -10V
    12A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    SCT20N120
    STMicroelectronics
    MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    20A Tc
    -55°C~200°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    SCT20
    N-Channel
    290m Ω @ 10A, 20V
    3.5V @ 1mA
    650pF @ 400V
    45nC @ 20V
    1200V
    +25V, -10V
    20A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    38.000013g
    EAR99
    未说明
    未说明
    1
    Single
    10 ns
    16ns
    17 ns
    25V
    1.2kV
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
SCT20N120 SCT20N120 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET 对比