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SGL160N60UFDTU备选型号: FGL60N100BNTD
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- 功率耗散
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- 晶体管应用
- 极性/通道类型
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- 接通时间
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- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 极性
- 上升时间
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 最大击穿电压
- IGBT类型
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SGL160N60UFDTU.IGBT Single Transistor, 160 A, 2.6 V, 250 W, 600 V, TO-264, 3 PinsACTIVE, NOT REC (Last Updated: 10 hours ago)通孔通孔TO-264-3, TO-264AA36.756gSILICON600V2.1V-55°C~150°C TJTube2014e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING8541.29.00.95600V250W80ASingle250WStandard40 nsMOTOR CONTROLN-CHANNEL600V160A95 ns150 ns2.6V @ 15V, 80A262 ns345nC300A40ns/90ns2.5mJ (on), 1.76mJ (off)26mm20mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTDIGBT Single Transistor, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 PinsACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)通孔通孔TO-264-3, TO-264AA36.756gSILICON600V1.5V-55°C~150°C TJTube2017e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99哑光锡-8541.29.00.951kV180W60ASingle180WStandard-电源控制-1kV60A1.2 μs460 ns2.9V @ 15V, 60A760 ns275nC120A140ns/630ns-26mm20mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅4 WeeksNPN320ns1000V1kVNPT和沟槽
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT70GR120L | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | 对比 |
| FGL60N100BNTD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTDIGBT Single Transistor, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 Pins | 对比 |
| SGL50N60RUFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 600V 80A 250W TO264 | 对比 |
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