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SGR6N60UFTF备选型号: HGTD3N60C3S9A

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底架
安装类型
包装/外壳
引脚数
Collector-Emitter Saturation Voltage
操作温度
包装
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
电压 - 额定直流
最大功率耗散
额定电流
基本部件号
元素配置
功率耗散
输入类型
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
闸门收费
集极脉冲电流（Icm）
Td（开/关）@25°C
开关能量
RoHS状态
无铅

SGR6N60UFTF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 30W DPAK

表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
3
600V
2.1V
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
Obsolete
1 (Unlimited)
600V
30W
3A
SG*6N60
Single
30W
Standard
600V
6A
2.6V @ 15V, 3A
15nC
25A
15ns/60ns
57μJ (on), 25μJ (off)
符合RoHS标准
无铅
HGTD3N60C3S9A

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 33W TO252AA

表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
3
600V
1.65V
-40°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
Obsolete
1 (Unlimited)
600V
33W
6A
-
Single
33W
Standard
600V
6A
2V @ 15V, 3A
10.8nC
24A
-
85μJ (on), 245μJ (off)
符合RoHS标准
无铅
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	HGTD3N60C3S9A	ON Semiconductor	晶体管 - IGBT - 单个	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 33W TO252AA	对比