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价格梯度

内地含税价

1

￥5.062903
10

￥4.776321
100

￥4.505965
500

￥4.250909
1000

￥4.010296

ON Semiconductor HGTD3N60C3S9A

Name: HGTD3N60C3S9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-HGTD3N60C3S9A
Price: 5.06 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

HGTD3N60C3S9A

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-HGTD3N60C3S9A

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT 600V 6A 33W TO252AA

起订量

--最小包装量--

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HGTD3N60C3S9A ON Semiconductor IGBT 600V 6A 33W TO252AA

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HGTD3N60C3S9A详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor HGTD3N60C3S9A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V
Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65V
Test Conditions

480V, 3A, 82 Ω, 15V
操作温度

-40°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
电压 - 额定直流

600V
最大功率耗散

33W
额定电流

6A
元素配置

Single
功率耗散

33W
输入类型

Standard
集电极发射器电压(VCEO)

600V
最大集电极电流

6A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 3A
闸门收费

10.8nC
集极脉冲电流（Icm）

24A
开关能量

85μJ (on), 245μJ (off)
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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HGTD3N60C3S9A拓展信息

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