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首页 全部分类 SH8K32TB1 vs DMP2066LSD-13

SH8K32TB1备选型号: DMP2066LSD-13

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    SH8K32TB1
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8
    17 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    2009
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2W
    *K32
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    65m Ω @ 4.5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    500pF @ 10V
    10nC @ 5V
    60V
    4.5A
    60V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2066LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    2008
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2W
    DMP2066LSD
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    40m Ω @ 4.6A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    820pF @ 15V
    10.1nC @ 4.5V
    20V
    5.8A
    -
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    850.995985mg
    SILICON
    2
    e3
    yes
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    260
    40
    8
    增强型MOSFET
    4.4 ns
    SWITCHING
    9.9ns
    23.4 ns
    12V
    0.04Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.5mm
    5.3mm
    4.1mm
    无SVHC
    无
    无铅
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