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首页 全部分类 SI8261BCC-C-IS vs LM211DR2G

SI8261BCC-C-IS备选型号: LM211DR2G

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  • 关断时间
  • 脉宽失真(PWD)
  • 脉宽失真(最大值)
  • 电压 - 输出电源
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 生命周期状态
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 类型
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出类型
  • 功率耗散
  • 最大电源电流
  • 静态电流
  • 回应时间
  • 电压 - 电源，单/双路（±）
  • 无卤素
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  • 输入失调电压(Vos)
  • 负电源电压(Vsup)
  • 电压增益
  • 最大输入电流
  • 输入偏置电流
  • 电压 - 输入断态 （最小值）
  • 最大输入偏正电流
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Silicon Labs
    SI8261BCC-C-IS
    Silicon Labs
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC
    8 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    -40°C~125°C
    Tube
    Automotive, AEC-Q100
    1997
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    300mW
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    1
    15V
    未说明
    2
    CQC, CSA, UR, VDE
    3750Vrms
    250mV
    4A
    1
    30V
    5V
    Single
    2mA
    10mA
    2.8V Max
    50 ns
    5.5ns
    8.5 ns
    5.5ns 8.5ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    30mA
    0.06 µs
    60ns, 50ns
    35kV/μs
    NO
    0.05 µs
    10 ns
    28ns
    13.5V~30V
    1.5mm
    4.8mm
    3.8mm
    Unknown
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    LM211DR2G
    ON Semiconductor
    IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    -25°C~85°C
    Cut Tape (CT)
    -
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    625mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    40
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    6mA
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
    Tin
    1
    e3
    yes
    通用型
    LM211
    8
    DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL
    625mW
    2.4mA
    6mA
    200 ns
    5V~30V ±2.5V~15V
    无卤素
    2.4mA
    3mV
    -15V
    106.02dB
    100nA
    100nA
    3mV @ ±15V
    0.1μA @ ±15V
    无
    无铅
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