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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥75.121058
10
¥70.86892
100
¥66.857477
500
¥63.073089
1000
¥59.50291
Silicon Labs SI8261BCC-C-IS
- 收藏
- 对比
SI8261BCC-C-IS
2258-SI8261BCC-C-IS
隔离器 - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI8261BCC-C-IS详情
Silicon Labs SI8261BCC-C-IS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
引脚数
8
操作温度
-40°C~125°C
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q100
已出版
1997
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
300mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
输出的数量
2
审批机构
CQC, CSA, UR, VDE
电压-隔离度
3750Vrms
输出电压
250mV
最大输出电流
4A
通道数量
1
最大电源电压
30V
最小电源电压
5V
元素配置
Single
电源电流
2mA
输出电流
10mA
电压 - 正向 (Vf) (类型)
2.8V Max
传播延迟
50 ns
上升时间
5.5ns
下降时间(典型值)
8.5 ns
上升/下降时间(Typ)
5.5ns 8.5ns
接口IC类型
基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
最大直流驱动电流(If)
30mA
接通时间
0.06 µs
传播延迟(最大延迟差)
60ns, 50ns
共模瞬态抗扰度(最小)
35kV/μs
高边驱动器
NO
关断时间
0.05 µs
脉宽失真(PWD)
10 ns
脉宽失真(最大值)
28ns
电压 - 输出电源
13.5V~30V
高度
1.5mm
长度
4.8mm
宽度
3.8mm
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
符合RoHS标准
SI8261BCC-C-IS拓展信息
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