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首页 全部分类 SI8261BCC-C-ISR vs IXDN604SIA

SI8261BCC-C-ISR备选型号: IXDN604SIA

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  • 最小电源电压
  • 工作电源电流
  • 输出电流
  • 输入类型
  • 上升时间
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  • 信道型
  • 驱动器数量
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Silicon Labs
    SI8261BCC-C-ISR
    Silicon Labs
    Digital Isolator Open Drain 1-CH Automotive 8-Pin SOIC N T/R
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~125°C
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100
    2014
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    未说明
    未说明
    CQC, CSA, UR, VDE
    3750Vrms
    4A
    30V
    1
    2.8V Max
    50 ns
    5.5ns 8.5ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    30mA
    60ns, 50ns
    35kV/μs
    28 ns
    13.5V~30V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • IXYS Integrated Circuits Division
    IXDN604SIA
    IXYS Integrated Circuits Division
    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~125°C TA
    Tube
    -
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    4A
    -
    2
    -
    50 ns
    9ns 8ns
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8-SOIC
    540.001716mg
    Low-Side
    125°C
    -40°C
    4.5V~35V
    2
    35V
    4.5V
    10μA
    4A
    Non-Inverting
    9ns
    8 ns
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    4A 4A
    无
    无铅
  • 添加型号
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