SI9936DY备选型号: NDS9936
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mg2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)50MOhm900mWDual2W2 N-Channel (Dual)50m Ω @ 5A, 10V1V @ 250μA525pF @ 15V35nC @ 10V10ns30V10 ns5A20V30VStandard符合RoHS标准无铅--
- MOSFET Dl N-Ch Enhancement表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)-900mW-2W2 N-Channel (Dual)50m Ω @ 5A, 10V3V @ 250μA525pF @ 15V35nC @ 10V10ns-10 ns5A20V30V逻辑电平门符合RoHS标准含铅30V5A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS6930B | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC | 对比 | |
| FDS6930A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC | 对比 | |
| NDS9936 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET Dl N-Ch Enhancement | 对比 |


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