SI9936DY备选型号: NDS9936

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    230.4mg
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    50MOhm
    900mW
    Dual
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    50m Ω @ 5A, 10V
    1V @ 250μA
    525pF @ 15V
    35nC @ 10V
    10ns
    30V
    10 ns
    5A
    20V
    30V
    Standard
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET Dl N-Ch Enhancement
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    900mW
    -
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    50m Ω @ 5A, 10V
    3V @ 250μA
    525pF @ 15V
    35nC @ 10V
    10ns
    -
    10 ns
    5A
    20V
    30V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    含铅
    30V
    5A
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