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SKI10195备选型号: IRFS4510PBF
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 系列
- ECCN 代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 100V 47A TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB47A Tc150°C TJCut Tape (CT)2014Discontinued1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel17.8m Ω @ 23.4A, 10V2.5V @ 1mA3990pF @ 25V55.8nC @ 10V100V±20V47A符合RoHS标准无铅---------------
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB61A Tc-55°C~175°C TJTube2007Discontinued1 (Unlimited)--N-Channel13.9m Ω @ 37A, 10V4V @ 100μA3180pF @ 50V87nC @ 10V100V±20V61AROHS3 Compliant无铅52 Weeks3HEXFET®EAR99Single140W13 ns32ns3V20V3 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB3652-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | 对比 |
| IRFS4510PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | 对比 |
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