SMMBFJ175LT1G备选型号: PMBFJ308,215

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
  • 电阻-RDS(On)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • DS 击穿电压-最小值
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 最高频段
  • ON Semiconductor
    TRANS JFET P-CH 30V SOT23
    ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
    40 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    225mW
    DUAL
    鸥翼
    AEC-Q101
    R-PDSO-G3
    SINGLE
    DEPLETION MODE
    P-Channel
    11pF @ 10V VGS
    0.06A
    125Ohm
    JUNCTION
    5.5 pF
    7mA @ 15V
    3V @ 10nA
    30V
    125Ohm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    RF JFET Transistors TAPE7 FET-RFSS
    -
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    SILICON
    1
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    R-PDSO-G3
    SINGLE
    DEPLETION MODE
    N-Channel
    5pF @ 10V
    -
    -
    JUNCTION
    2.5 pF
    12mA @ 10V
    1V @ 1μA
    25V
    50Ohm
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    低噪音
    8541.21.00.75
    260
    未说明
    3
    不合格
    250mW
    AMPLIFIER
    TO-236AB
    25V
    0.25W
    极高频率 b
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