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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.836057
10
¥1.732126
100
¥1.634083
500
¥1.541586
1000
¥1.454329
ON Semiconductor SMMBFJ175LT1G
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- 对比
SMMBFJ175LT1G
1807-SMMBFJ175LT1G
晶体管 - JFET
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS JFET P-CH 30V SOT23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SMMBFJ175LT1G详情
ON Semiconductor SMMBFJ175LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
工厂交货时间
40 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
场效应管类型
P-Channel
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11pF @ 10V VGS
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.06A
漏极-源极导通最大电阻
125Ohm
场效应管技术
JUNCTION
反馈上限-最大值 (Crss)
5.5 pF
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
7mA @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
3V @ 10nA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
30V
电阻-RDS(On)
125Ohm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SMMBFJ175LT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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