SMMBFJ175LT1G
SMMBFJ175LT1G

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ON Semiconductor SMMBFJ175LT1G

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型号

SMMBFJ175LT1G

utmel 编号

1807-SMMBFJ175LT1G

商品类别

晶体管 - JFET

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS JFET P-CH 30V SOT23

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SMMBFJ175LT1G
SMMBFJ175LT1G ON Semiconductor TRANS JFET P-CH 30V SOT23

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SMMBFJ175LT1G详情

ON Semiconductor SMMBFJ175LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)

  • 工厂交货时间

    40 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    225mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    11pF @ 10V VGS

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.06A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    125Ohm

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    5.5 pF

  • 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)

    7mA @ 15V

  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

    3V @ 10nA

  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)

    30V

  • 电阻-RDS(On)

    125Ohm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & SMMBFJ175LT1G相似的参数规格。

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SMMBFJ175LT1G拓展信息

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MMBF4392LT1G
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MMBFJ202
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J175-D26Z
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ON Semiconductor

BSR57
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ON Semiconductor

MMBFJ270
MMBFJ270

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BSR58
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ON Semiconductor

MMBF5434
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ON Semiconductor

MMBFJ112
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ON Semiconductor

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