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SMMBT2369ALT1G备选型号: 2SC5084-O(TE85L,F)
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- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
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- 最大集极截止电流
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- 集电极基极电压(VCBO)
- 关断时间-最大值（toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
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- Reach合规守则
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- 元素配置
- 增益带宽积
- 增益
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 最高频段
- 集电极-基极电容-最大值
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Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES3SILICON15V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)225mWDUAL鸥翼3AEC-Q101SINGLE225mWSWITCHINGNPNNPN500mV200mA20 @ 100mA 1V400nA500mV @ 10mA, 100mA40V18ns12ns无ROHS3 Compliant无铅-------------
Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V-12 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3--SILICON12V125°C TJCut Tape (CT)2014-yes活跃1 (Unlimited)3--150mWDUAL鸥翼---150mWAMPLIFIERNPNNPN12V80mA80 @ 20mA 10V--20V---符合RoHS标准-表面贴装低噪音unknownR-PDSO-G3Single7 GHz11dB7000MHz12V3V超高频B型1.15pF1.1dB @ 1GHz- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT2369ALT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON Semi MMBT2369ALT1G NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 | 对比 |
| MMBT2369LT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON Semi MMBT2369LT3G NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 | 对比 |
| 2SC5084-O(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V | 对比 |
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