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1

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500

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1000

￥0.129941
2000

￥0.119208
5000

￥0.111408
10000

￥0.103638
15000

￥0.100226
50000

￥0.098556

ON Semiconductor MMBT2369LT3G

Name: MMBT2369LT3G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-MMBT2369LT3G
Price: 0.21 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MMBT2369LT3G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MMBT2369LT3G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON Semi MMBT2369LT3G NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23

起订量

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MMBT2369LT3G ON Semiconductor ON Semi MMBT2369LT3G NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23

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ON Semiconductor MMBT2369LT3G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间

2 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装

YES
引脚数

3
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V
Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV
Number of Elements

1
hFEMin

40
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2008
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

225mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
时间@峰值回流温度-最大值(s)

40
基本部件号

MMBT2369
引脚数量

3
元素配置

Single
功率耗散

300mW
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

15V
最大集电极电流

200mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 10mA 350mV
最大集极截止电流

400nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 1mA, 10mA
最高频率

1MHz
集电极基极电压(VCBO)

40V
发射极基极电压 (VEBO)

4.5V
高度

1.11mm
长度

3.04mm
宽度

2.64mm
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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MMBT2369LT3G拓展信息

热销零件