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首页 全部分类 SMMJT350T1G vs MMJT350T1G

SMMJT350T1G备选型号: MMJT350T1G

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 转换频率
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  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    SMMJT350T1G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 4-Pin SOT-223 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    YES
    4
    300V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    650mW
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    Single
    650mW
    PNP
    PNP
    300V
    500mA
    30 @ 50mA 10V
    100nA ICBO
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MMJT350T1G
    ON Semiconductor
    ON Semi MMJT350T1G PNP High Voltage Bipolar Transistor; 0.5 A; 300 V SOT-223
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    YES
    4
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.75W
    260
    -
    40
    4
    -
    650mW
    PNP
    PNP
    300V
    500mA
    30 @ 50mA 10V
    100nA ICBO
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    4
    -300V
    DUAL
    鸥翼
    -500mA
    MMJT350
    Single
    1.4W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    3MHz
    300V
    300V
    5V
    6.7mm
    1.65mm
    3.7mm
    无
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