ON Semiconductor PZTA92T1G
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PZTA92T1G
1807-PZTA92T1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
--最小包装量--
PZTA92T1G详情
ON Semiconductor PZTA92T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-900mV
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
1
hFEMin
25
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
1997
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
类型
通用型
电压 - 额定直流
-300V
最大功率耗散
1.5W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-500mA
频率
50MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
PZTA92
引脚数量
4
元素配置
Single
功率耗散
1.5W
箱体转运
COLLECTOR
增益带宽积
50MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
300V
最大集电极电流
50mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 30mA 10V
最大集极截止电流
250nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 2mA, 20mA
转换频率
50MHz
最大击穿电压
300V
集电极基极电压(VCBO)
300V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.57mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PZTA92T1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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