SP8J5TB备选型号: IRF7328TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 系列
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 行间距
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2150°C TJTape & Reel (TR)2003e2yes不用于新设计1 (Unlimited)8EAR99锡铜-30V2W鸥翼260-7A10*J58SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET20 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING28m Ω @ 7A, 10V2.5V @ 1mA2600pF @ 10V25nC @ 5V50ns30V70 ns7A20V7AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅--------------------
- MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON8A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2004e3-活跃1 (Unlimited)8EAR99--30V2W鸥翼--8A-IRF7328PBF--增强型MOSFET13 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING21m Ω @ 8A, 10V2.5V @ 250μA2675pF @ 25V78nC @ 10V15ns30V98 ns-8A20V8AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksTinHEXFET®SMD/SMT21MOhm超低电阻6.3 mm2Dual2W-1V-30V-30V56 ns150°C-2.5 V1.75mm4.9784mm3.9878mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI4435DYTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF7328TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC | 对比 |



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