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首页 全部分类 SP8M8FU6TB vs FDS8962C

SP8M8FU6TB备选型号: FDS8962C

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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 极性/通道类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 系列
  • 无铅代码
  • 额定电流
  • ROHM Semiconductor
    SP8M8FU6TB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    6A 4.5A
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    47MOhm
    2W
    *M8
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    30m Ω @ 6A, 10V
    2.5V @ 1mA
    520pF @ 10V
    10.1nC @ 5V
    25ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    25 ns
    4.5A
    20V
    6A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8962C
    ON Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    7A 5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    900mW
    -
    -
    2W
    N and P-Channel
    30m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    575pF @ 15V
    26nC @ 10V
    13ns
    -
    9 ns
    5A
    20V
    -
    30V
    -
    逻辑电平门
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    187mg
    PowerTrench®
    yes
    7A
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