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SPA03N60C3XKSA1备选型号: STP4NK60ZFP
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- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 终端
- 电阻
- 基本部件号
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220通孔TO-220-3 Full PackNO3SILICON3.2A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)雪崩 额定650V未说明3.2A未说明3不合格Single增强型MOSFET29.7WISOLATED7 nsN-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 2A, 10V3.9V @ 135μA无卤素400pF @ 25V17nC @ 10V3ns±20V12 ns3.2A3VTO-220AB20V600V9.6A100 mJ9.45mm10.36mm4.57mm无SVHC符合RoHS标准无铅-----------
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FP通孔TO-220-3 Full Pack-3SILICON4A Tc150°C TJTubeSuperMESH™-e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99------3-Single增强型MOSFET25WISOLATED12 nsN-ChannelSWITCHING2 Ω @ 2A, 10V4.5V @ 50μA-510pF @ 25V26nC @ 10V9.5ns±30V16.5 ns4A3.75VTO-220AB30V600V--9.3mm10.4mm4.6mm无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 WeeksTin通孔通孔2OhmSTP4N4A600V3.75 V无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STF6N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STF6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
 | STP6N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STP6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
 | NDF03N60ZG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP | 对比 |
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