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首页 全部分类 SPA03N60C3XKSA1 vs STP6N65M2

SPA03N60C3XKSA1备选型号: STP6N65M2

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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 质量
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • Infineon Technologies
    SPA03N60C3XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    NO
    3
    SILICON
    3.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    650V
    未说明
    3.2A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    29.7W
    ISOLATED
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 2A, 10V
    3.9V @ 135μA
    无卤素
    400pF @ 25V
    17nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    12 ns
    3.2A
    3V
    TO-220AB
    20V
    600V
    9.6A
    100 mJ
    9.45mm
    10.36mm
    4.57mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP6N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STP6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    -
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    19 ns
    N-Channel
    -
    1.35 Ω @ 2A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    226pF @ 100V
    9.8nC @ 10V
    7ns
    ±25V
    20 ns
    4A
    3V
    -
    25V
    650V
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    329.988449mg
    STP6N
    1
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