Infineon Technologies SPA03N60C3XKSA1

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

29.7W Tc

Turn Off Delay Time

64 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

650V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

3.2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

29.7W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4 Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 135μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

上升时间

3ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

3.2A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9.6A

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

高度

9.45mm

长度

10.36mm

宽度

4.57mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅