SPA08N50C3备选型号: SPA06N60C3
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
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- 包装
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- 无铅代码
- 零件状态
- 终止次数
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 电压 - 阈值
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- 电容-输入
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 雪崩能量等级(Eas)
- INFINEON - SPA08N50C3XKSA1 - MOSFET, N, 500V, TO-220F8 WeeksTO-220-3NO31Bulk2005yesDiscontinued3150°C-55°C雪崩 额定560VTHROUGH-HOLE未说明7.6A未说明3不合格Single增强型MOSFET32WISOLATED6 ns3VSWITCHING无卤素5ns560VN-CHANNEL7 ns7.6ATO-220AB20V560V22.8AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR600mOhm600 mΩ750pF9.83mm10.65mm4.85mm无SVHC符合RoHS标准无铅-
- Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP Tube-TO-220-3NO31--yes-3150°C-55°C雪崩 额定650VTHROUGH-HOLE未说明6.2A未说明3不合格Single增强型MOSFET32WISOLATED7 ns3VSWITCHING无卤素12ns650VN-CHANNEL10 ns6.2ATO-220AB20V650V18.6AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR750mOhm750 mΩ620pF---无SVHC符合RoHS标准无铅200 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SPA06N60C3 | Infineon | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP Tube | 对比 |
![]() | STP11NK40ZFP | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STP11NK40ZFP MOSFET Transistor, N Channel, 9 A, 400 V, 550 mohm, 10 V, 3.75 V | 对比 |
![]() | SPA07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 | 对比 |






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