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首页 全部分类 SPD01N60C3BTMA1 vs SSR1N60BTM-WS

SPD01N60C3BTMA1备选型号: SSR1N60BTM-WS

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • Reach合规守则
  • Infineon Technologies
    SPD01N60C3BTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 0.8A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    800mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    260
    40
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    11W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    6 Ω @ 500mA, 10V
    3.9V @ 250μA
    不含卤素
    100pF @ 25V
    5nC @ 10V
    25ns
    650V
    ±20V
    800mA
    TO-252AA
    20V
    600V
    0.8A
    6Ohm
    20 mJ
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    SSR1N60BTM-WS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    900mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    -
    -
    N-Channel
    12 Ω @ 450mA, 10V
    4V @ 250μA
    -
    215pF @ 25V
    7.7nC @ 10V
    -
    600V
    ±30V
    900mA
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    not_compliant
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