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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.356806
10
¥5.996987
100
¥5.657537
500
¥5.337299
1000
¥5.035189
ON Semiconductor SSR1N60BTM-WS
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- 对比
SSR1N60BTM-WS
1807-SSR1N60BTM-WS
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
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¥
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SSR1N60BTM-WS详情
ON Semiconductor SSR1N60BTM-WS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
900mA Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 28W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
Reach合规守则
not_compliant
功率耗散
2.5W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
12 Ω @ 450mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
215pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.7nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
900mA
栅极至源极电压(Vgs)
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SSR1N60BTM-WS拓展信息
ON Semiconductor
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