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首页 全部分类 SPD03N50C3ATMA1 vs SPD03N60S5BTMA1

SPD03N50C3ATMA1备选型号: SPD03N60S5BTMA1

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    SPD03N50C3ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    PG-TO252-3-1
    3.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2005
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    560V
    3.2A
    38W
    10 ns
    N-Channel
    1.4Ohm @ 2A, 10V
    3.9V @ 135μA
    350pF @ 25V
    15nC @ 10V
    5ns
    500V
    ±20V
    15 ns
    3.2A
    20V
    500V
    350pF
    1.25Ohm
    1.4 Ω
    ROHS3 Compliant
    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPD03N60S5BTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    3.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    38W
    35 ns
    N-Channel
    1.4 Ω @ 2A, 10V
    5.5V @ 135μA
    420pF @ 25V
    16nC @ 10V
    25ns
    -
    ±20V
    15 ns
    3.2A
    20V
    600V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    SILICON
    e3
    no
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    不含卤素
    TO-252AA
    5.7A
    含铅
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