Infineon Technologies IPD65R1K4CFDBTMA1
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IPD65R1K4CFDBTMA1
1211-IPD65R1K4CFDBTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Trans MOSFET N-CH 700V 2.8A T/R
1最小包装量--
IPD65R1K4CFDBTMA1详情
Infineon Technologies IPD65R1K4CFDBTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
28.4W Tc
Turn Off Delay Time
33 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
CoolMOS™
已出版
2003
无铅代码
no
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
262pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 10V
上升时间
6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
18.2 ns
连续放电电流(ID)
2.8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
漏源击穿电压
700V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPD65R1K4CFDBTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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