SPD04N60C3ATMA1备选型号: STD5NM60T4
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin TO-252 T/R40 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633PG-TO252-34.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2005不用于新设计1 (Unlimited)150°C-55°C650V4.5A50W6 nsN-Channel950mOhm @ 2.8A, 10V3.9V @ 200μA490pF @ 25V25nC @ 10V2.5ns600V±20V9.5 ns4.5A20V600V490pF850mOhm950 mΩROHS3 Compliant无铅--------------------------
- MOSFET N-CH 600V 5A DPAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™-活跃1 (Unlimited)--600V5A96W14 nsN-Channel1 Ω @ 2.5A, 10V5V @ 250μA400pF @ 25V18nC @ 10V10ns-±30V10 ns5A30V----ROHS3 Compliant无铅SILICONe32EAR991OhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼26030STD5N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFETSWITCHING4VTO-252AA5A600V20A200 mJ2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD5NM60T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 5A DPAK | 对比 |
![]() | STD10NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 8A DPAK | 对比 |





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