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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.302024
10
¥9.718891
100
¥9.168764
500
¥8.649777
1000
¥8.160168
Infineon Technologies SPD04N60C3ATMA1
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- 对比
SPD04N60C3ATMA1
1211-SPD04N60C3ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin TO-252 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SPD04N60C3ATMA1详情
Infineon Technologies SPD04N60C3ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
40 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
50W Tc
Turn Off Delay Time
58.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™
已出版
2005
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
650V
额定电流
4.5A
功率耗散
50W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
950mOhm @ 2.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 200μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
490pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
2.5ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
9.5 ns
连续放电电流(ID)
4.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
输入电容
490pF
漏源电阻
850mOhm
最大rds
950 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SPD04N60C3ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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