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首页 全部分类 SPD100N03S2L-04 vs FDD850N10LD

SPD100N03S2L-04备选型号: FDD850N10LD

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  • 生命周期状态
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  • 质量
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  • HTS代码
  • 元素配置
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    SPD100N03S2L-04
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2003
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    30V
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    100A
    未说明
    4
    R-PSSO-G4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    4.2m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 100μA
    3320pF @ 25V
    89.7nC @ 10V
    ±20V
    100A
    0.0063Ohm
    400A
    325 mJ
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD850N10LD
    ON Semiconductor
    MOSF N CH 100V 15.7A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    SILICON
    15.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2013
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G4
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    75m Ω @ 12A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1465pF @ 25V
    28.9nC @ 10V
    ±20V
    15.3A
    0.096Ohm
    46A
    41 mJ
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    3
    260.37mg
    yes
    8541.29.00.95
    Single
    17 ns
    21ns
    8 ns
    20V
    100V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
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