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首页 全部分类 SPD50N03S2L06GBTMA1 vs IPD50N03S2L06ATMA1

SPD50N03S2L06GBTMA1备选型号: IPD50N03S2L06ATMA1

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  • 终端形式
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    SPD50N03S2L06GBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    2V @ 85μA
    35 ns
    2011
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    136W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    6.4m Ω @ 50A, 10V
    2530pF @ 25V
    68nC @ 10V
    19ns
    30V
    ±20V
    24 ns
    50A
    TO-252AA
    20V
    0.0092Ohm
    200A
    30V
    250 mJ
    符合RoHS标准
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50N03S2L06ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    2V @ 85μA
    50A Tc
    2006
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    6.4m Ω @ 50A, 10V
    1900pF @ 25V
    68nC @ 10V
    30ns
    -
    ±20V
    15 ns
    50A
    -
    20V
    0.0092Ohm
    200A
    -
    250 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    10 Weeks
    3
    e3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    SWITCHING
    无卤素
    30V
    not_compliant
    含铅
  • 添加型号
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